Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Жазылу
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 1 (2025)
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 1 (2025)
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Рогожин, А. Е.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 53, № 1 (2024)
ТЕХНОЛОГИИ
Interconnects Materials for Integrated Circuit Technology Below 5 Nm Node
Том 52, № 5 (2023)
ПРИБОРЫ
Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms
Том 52, № 2 (2023)
ЛИТОГРАФИЯ
Cross Sections of Scattering Processes in Electron-Beam Lithography
Том 52, № 2 (2023)
ПРИБОРЫ
Oxide Memristors for ReRAM: Approaches, Characteristics, and Structures
Том 54, № 1 (2025)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
TOP