作者的详细信息

Kwon, K.-H.

期	栏目	标题	文件
卷 52, 编号 4 (2023)	ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ	Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
卷 52, 编号 2 (2023)	ТЕХНОЛОГИЯ	Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
卷 52, 编号 1 (2023)	ТЕХНОЛОГИЯ	Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO₂ в плазме CF₄/C₄F₈/Ar/He