Informaçao sobre o Autor
Koveshnikov, S. V.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Nº 1 (2024) | Articles | Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus |
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Palavras-chave
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
deformation
electron microscopy
electronic structure
ion implantation
irradiation
magnetron sputtering
microstructure
nanoparticles
neutron reflectometry
phase composition
scanning electron microscopy
silicon
structure
surface
surface modification
surface morphology
synchrotron radiation
thin films
zinc oxide
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Nº 1 (2025)
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