Поверхностные свойства и зародышеобразование кристаллов линейных аценов в условиях роста из пара и раствора

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты моделирования поверхностной энергии граней (100), (010), (001), (110) и (110) кристаллов линейных аценов (нафталин, антрацен, тетрацен, пентацен) в приближении метода силового поля OPLS и теории функционала плотности уровня B3LYP/6-31G(d,p). Моделирование выполнено на основе уточненных методом рентгеновской дифракции структуры монокристаллов линейных аценов. Для кристаллов антрацена, тетрацена и пентацена получена экспериментальная оценка поверхностной энергии грани (001) методом краевого угла смачивания. В рамках классического термодинамического подхода с учетом анизотропии поверхностной энергии получены и проанализированы выражения для критических размеров зародышей кристаллов при гомогенном и гетерогенном процессах в условиях роста из пара и раствора.

Об авторах

В. А. Постников

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

Email: postva@yandex.ru

Г. А. Юрасик

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

А. А. Кулишов

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

Н. И. Сорокина

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

Т. А. Сорокин

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

А. С. Степко

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

П. В. Лебедев-Степанов

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия

Список литературы

  1. Постников В.А., Лясникова М.С., Кулишов А.А. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. С. 2322. https://doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48544.42ks
  2. Юрасик Г.А., Кулишов А.А., Лебедев-Степанов П.В и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2021. № 2. С. 78. https://doi.org/10.31857/s1028096021020163
  3. Schweicher G., Olivier Y., Lemaur V. et al. // Isr. J. Chem. 2014. V. 54. P. 595. https://doi.org/10.1002/ijch.201400047
  4. Bruevich V.V., Glushkova A.V., Poimanova O.Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. P. 6315. https://doi.org/10.1021/acsami.8b20700
  5. Postnikov V.A., Odarchenko Y.I., Iovlev A.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2014. V. 14. № 4. P. 1726. https://doi.org/10.1021/cg401876a
  6. Kitaigorodsky A.I., Ahmed N.A. // Acta Cryst. A. 1972. V. 28. P. 207. https://doi.org/10.1107/S0567739472000439
  7. Nabok D., Puschnig P., Ambrosch-Draxl C. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 245316. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.245316
  8. Massaro F.R., Moret M., Bruno M. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V. 12. P. 982. https://doi.org/10.1021/cg201458g
  9. Massaro F.R., Moret M., Bruno M. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 4639. https://doi.org/10.1021/cg200924m
  10. Northrup J.E., Tiago M.L., Louie S.G. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. P. 121404(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.66.121404
  11. Drummy L.F., Miska P.K., Alberts D. et al. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 6066. https://doi.org/10.1021/jp054951g
  12. Ребиндер П.А., Щукин Е.Д. // УФН. 1972. Т. 108. С. 3. https://doi.org/10.3367/ufnr.0108.197209a.0003
  13. Джейкок М., Парфит Д. Химия поверхностей раздела фаз. М.: Мир, 1984. 269 с.
  14. Постников В.А., Кулишов А.А., Лясникова М.С. и др. // Кристаллография. 2021. Т. 66. С. 494. https://doi.org/10.31857/s0023476121030206
  15. Kulishov A.A., Yurasik G.A., Grebenev V.V. et al. // Crystallography Reports. 2022. V. 67. P. 1001. https://doi.org/10.1134/S1063774522060153
  16. Postnikov V.A., Kulishov A.A., Yurasik G.A. et al. // Crystals. 2023. V. 13. P. 999. https://doi.org/10.3390/cryst13070999
  17. Rigaku Oxford Diffraction: 1.171.39.46. Rigaku Corporation, Oxford, UK. 2018.
  18. Petrícek V., Dušek M., Palatinus L. // Z. Krist. 2014. V. 229. P. 345. https://doi.org/10.1515/zkri-2014-1737
  19. Palatinus L. // Acta Cryst. A. 2004. V. 60. P. 604. https://doi.org/10.1107/S0108767304022433
  20. Кулишов А.А., Юрасик Г.А., Лясникова М.С. и др. // Кристаллография. 2024. Т. 69. С. 330. https://doi.org/10.31857/S0023476124020171
  21. Юрасик Г.А., Кулишов А.А., Гиваргизов М.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. С. 40. https://doi.org/10.21883/pjtf.2021.23.51783.18983
  22. Tadmor R. // Langmuir. 2004. V. 186. P. 7659. https://doi.org/10.1021/la049410h
  23. Spackman P.R., Turner M.J., McKinnon J.J. et al. // J. Appl. Cryst. 2021. V. 54. P. 1006. https://doi.org/10.1107/S1600576721002910
  24. Jorgensen W.L., Maxwell D.S., Tirado-Rives J. // J. Am. Chem. Soc. 1996. V. 118. P. 10947. https://doi.org/10.1021/ja9621760
  25. Постников В.А., Кулишов А.А., Лясникова М.С и др. // Журн. физ. химии. 2021. Т. 95. С. 1101. https://doi.org/10.31857/s0044453721070220
  26. Piranej S., Turner D.A., Dalke S.M. et al. // CrystEngComm. 2016. V. 18. P. 6062. https://doi.org/10.1039/c6ce00728g
  27. Oddershede J., Larsen S. // J. Phys. Chem. A. 2004. V. 108. P. 1057. https://doi.org/10.1021/jp036186g
  28. Asher M., Angerer D., Korobko R. et al. // Adv. Mater. 2020. V. 32. P. 1908028. https://doi.org/10.1002/adma.201908028
  29. Holmes D., Kumaraswamy S., Matzger A.J. et al. // Chem. – A Eur. J. 1999. V. 5. P. 3399. https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3765(19991105)5:11<3399::AID-CHEM3399>3.0.CO;2-V
  30. Постников В.А., Кулишов А.А., Юрасик Г.А. и др. // Кристаллография. 2022. Т. 67. С. 652. https://doi.org/10.31857/S0023476122040130
  31. Torres-Gómez L.A., Barreiro-Rodríguez G., Galarza-Mondragón A. // Thermochim. Acta. 1988. V. 124. P. 229. https://doi.org/10.1016/0040-6031(88)87025-4
  32. Rojas A., Orozco E. // Thermochim. Acta. 2003. V. 405. P. 93. https://doi.org/10.1016/S0040-6031(03)00139-4
  33. Ribeiro da Silva M.A.V., Monte M.J.S., Santos L.M.N.B.F. // J. Chem. Thermodyn. 2006. V. 38. P. 778. https://doi.org/10.1016/j.jct.2005.08.013
  34. Roux M.V., Temprado M., Chickos J.S. et al. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2008. V. 37. P. 1855. https://doi.org/10.1063/1.2955570
  35. Oja V., Suuberg E.M. // J. Chem. Eng. Data. 1998. V. 43. P. 486. https://doi.org/10.1021/je970222l
  36. De Kruif C.G. // J. Chem. Thermodyn. 1980. V. 12. P. 243. https://doi.org/10.1016/0021-9614(80)90042-7
  37. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. М.: Наука, 1980. 408 с.
  38. Kaminsky W. // J. Appl. Cryst. 2007. V. 40. P. 382. https://doi.org/10.1107/S0021889807003986
  39. Щукин Е.Д., Перцов А.В., Амелина Е.А. Коллоидная химия. М.: Высшая школа, 2004. 445 с.
  40. Musumeci C., Cascio C., Scandurra A. et al. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. 993. https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.12.029

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025