Кильватерный потенциал – механизм распыления атомов металлической поверхности

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Теоретически рассмотрен процесс распыления атомов металла при коронном разряде. При движении электрона в среде с некоторой скоростью, экранирование заряда происходит с запаздыванием в пространстве и во времени, что приводит к возникновению кильватерного потенциала. Возбужденные колебания кильватерного заряда приводят к появлению дополнительных сил. Действие кильватерного потенциала на падающую заряженную частицу приводит к ее торможению, т.е. потерям энергии движущейся частицей. В работе рассмотрено воздействие кильватерного потенциала также на ионы (атомы) матрицы решетки. Использовано известное выражение для кильватерного потенциала, возбуждаемого заряженной частицей, движущейся с энергией, большей энергии Ферми электронов среды. Получено выражение для сечения распыления атомов металла под действием кильватерного потенциала, возбужденного электронным пучком. Показано, что результат распыления не зависит от знака заряда и массы падающей частицы (электрона или иона).

Об авторах

Н. П. Калашников

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: kalash@mephi.ru
115409 Россия, Москва

Список литературы

  1. Megyeria D., Kohuta A, Geretovszky Z. // J. Aerosol Sci. 2021. V. 154. P. 105758.
  2. Загайнов В.А, Максименко В.В., Калашников Н.П., Аграновский И.Е., Чаусов В.Д., Загайнов Д.К. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 7. С. 27.
  3. Niedbalski J. // Rev. Sci. Instrum. 2003. V. 74. Iss. 7. P. 3520.
  4. Li M.-W., Hu Zh., Wang X.-Zh. et al. // J. Mater. Sci. 2004. V. 39. Iss. 1. P. 283.
  5. Warburg E. // Ueber die Spitzenentladung Wied. Ann. 1899. V. 67. P. 69.
  6. Chang J.-Sh., Lawless P.A., Yamamoto T. // IEEE Transactions Plasma Sci. 1991. V. 19. № 6.
  7. Вартанян Т.А. Основы физики металлических наноструктур. СПб: НИУ ИТМО, 2013. 133 с.
  8. Курнаев В.А., Протасов Ю.С., Цветков И.В. Введение в пучковую электронику. М.: МИФИ, 2008. 452 с.
  9. Goldman M., Goldman A., Sigmond R.S. // Pure Appl. Chem. 1985. V. 57. № 9. P. 1353.
  10. Petrov A.A., Amirov R.H., Samoylov I.S. // IEEE Transactions Plasma Sci. 2009. V. 37. № 7.
  11. Оцуки Е.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М.: Мир, 1985. 280 с.
  12. Рязанов М.И. Введение в электродинамику конденсированного вещества. М.: Физматлит, 2002. 320 с.
  13. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Т. VIII. М.: Наука. ГРФМЛ, 1992. 664 с.
  14. Силин В.П., Рухадзе А.А. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред. М.: ГосАтомиздат, 1961. 244 с.
  15. Neufeld J., Ritchie R.H. // Phys. Rev. 1979. V. 98. P. 1632.
  16. Vager Z., Gemmel D.S. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. P. 1352.
  17. Echenique P.M., Ritchie R., Brandt W. // Physical Rev. B. 1976. V. 14. P. 4808.
  18. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Т. III. М.: Наука. ГРФМЛ, 1989. 768 с.
  19. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука. ГРФМЛ, 1978. 792 с.
  20. Kalashnikov N. Coherent Interactions of Charged Particles in Single Crystals. Scattering and Radiative Processes in Single Crystals. Harwood Academic Publishers, 1988. 328 p.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Н.П. Калашников, 2023